Входные ВАХ БПТ с ОЭ и Выходные ВАХ

Дата: 2013-02-09 | Рубрика: Электроника | Комментариев: нет

Входные ВАХ БПТ с ОЭ

Статические ВАХ БПТ

Статическая вольт-амперная характеристика БПТ – это зависимость между током и напряжением между парой электродов при постоянном значении токов и напряжений других электродов. Различают входные и выходные ВАХ. Чаще всего применяются входные ВАХ при постоянном значении Uвых и выходные ВАХ при постоянном значении Iвх.

Входные ВАХ БПТ с ОЭ

Входные ВАХ БПТ с ОЭ

При UКЭ1=0 остается только один p-n переход. При увеличении UКЭобр до UКЭ2 увеличивается ширина коллекторного перехода (т.к. в базе меньше примесей), а следовательно увеличивается сопротивление базы, т.е. уменьшается ток базы IБ.

В базе происходит рекомбинация неосновных носителей, которые получаются благодаря инжекции ОНЗ из эмиттера в базу при увеличении Uпр на ЭП. Сопротивление базы увеличивается более резко, чем уменьшается IБЭ. В результате падение напряжения на базе увеличивается и при не измененном значении UБЭ уменьшается напряжение, прикладываемое непосредственно к эмиттерному переходу.

Выходные ВАХ

Выходные ВАХ

IК=f (UКЭ), IБ=const

Для конкретности будем рассматривать транзистор типа p-n-p . При IБ=0 эмиттерный переход равновесный и на ток коллектора влияния не оказывает. ВАХ при этом является ВАХ обратно смещенного коллекторного перехода: ток коллектора является током ННЗ, зависит от температуры и неуправляемый. Увеличим ток базы : IБ≠0. Для этого на ЭП надо подать прямое напряжение. Это приведет к понижению потенциального барьера, тормозящее поле в переходе уменьшится, а диффузия ОНЗ из эмиттера в базу увеличится. В базе ОНЗ, инжектированные из эмиттера, становятся ННЗ. Их концентрация наиболее высока возле ЭП. В базе появляется избыточный положительный заряд М, а в эмиттере такой же отрицательный заряд М свободных электронов. Под влиянием источника, обеспечивающего UБЭ, эти заряды выводятся из эмиттера и вводятся в базу. Под влиянием градиента разности концентраций М пар электронов и дырок диффундируют к КП. В базе происходит рекомбинация m пар электронов  и дырок (m<<M, т.к. база очень тонкая). Для ННЗ базы (т.е. для дырок), которые получились за счет инжекции из эмиттера, поле КП – ускоряющее. Для компенсирующих  (т.е. электронов)  это поле тормозящее. В результате из базы выводится (M-m) ОНЗ, а в коллектор поступает (M-m) дырок. Благодаря полю источника питания, создающего разность потенциалов UКЭ, заряды перемещаются, образуя  ток  коллектора. Очевидно, что с увеличением тока базы увеличивается и ток коллектора.

При значениях |UКЭ| < |UБЭ| напряжение на КП прямое и ток коллектора  изменяется резко – это нерабочий участок   ВАХ.


Оставить комментарий

  • Список наук

  • Образовательные статьи